Формирование дефектной структуры и свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергий

Превью изображение
Читать (5.35 MB)

Аннотация

Описание

Авторы

Составители/Переводчики

Год

2004

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Издательство

Типография Удмуртского государственного университета

Ключевые слова

полупроводники, дефекты полупроводников, исследование дефектов полупроводников, авторефераты диссертаций, арсенид галлия, ионы аргона, физические процессы

Коллекции

22.3 Физика
dc.contributor.authorАлалыкин, Александр Сергеевич
dc.contributor.otherКрылов, Петр Николаевич
dc.date.accessioned2015-04-13T08:56:06Z
dc.date.available2015-04-13T08:56:06Z
dc.date.issued2004
dc.identifier.citationАлалыкин, Александр Сергеевич. Формирование дефектной структуры и свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергий : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 - Физика конденсированного состояния / Алалыкин Александр Сергеевич ; [науч. рук.: Крылов П. Н. ; Удмурт. гос. ун-т]. - Ижевск, 2004. - 23 с. : ил.ru_RU
dc.identifier.otherarhiv_book_00103
dc.identifier.urihttp://eanbur.unatlib.ru/handle/123456789/533
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherТипография Удмуртского государственного университетаru_RU
dc.subjectполупроводникиru_RU
dc.subjectдефекты полупроводниковru_RU
dc.subjectисследование дефектов полупроводниковru_RU
dc.subjectавторефераты диссертацийru_RU
dc.subjectарсенид галлияru_RU
dc.subjectионы аргонаru_RU
dc.subjectфизические процессыru_RU
dc.titleФормирование дефектной структуры и свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергийru_RU
dc.typeTextru_RU