Нанокомпозитные пленки германия и арсенида галлия: методика получения, локальная атомная структура, электрофизические и фотоэлектрические свойства

Превью изображение
Читать (4.27 MB)

Аннотация

Описание

Авторы

Составители/Переводчики

Год

2003

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Издательство

Физико-технический институт УрО РАН

Ключевые слова

полупроводники, нанокристаллы полупроводников, авторефераты диссертаций

Коллекции

22.3 Физика
dc.contributor.authorВалеев, Ришат Галеевич
dc.contributor.otherРац, Ю. В.
dc.date.accessioned2016-03-15T06:43:33Z
dc.date.available2016-03-15T06:43:33Z
dc.date.issued2003
dc.identifier.citationВалеев, Ришат Галеевич. Нанокомпозитные пленки германия и арсенида галлия: методика получения, локальная атомная структура, электрофизические и фотоэлектрические свойства : специальность 01.04.07 - физика конденсированного состояния : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Валеев Ришат Галеевич ; [научный руководитель: Ю. В. Рац ; Физико-технический институт УрО РАН]. - Ижевск : ФТИ УрО РАН, 2003. - 24 с. : ил., табл.ru_RU
dc.identifier.otherarhiv_book_01327
dc.identifier.urihttp://eanbur.unatlib.ru/handle/123456789/2196
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherФизико-технический институт УрО РАНru_RU
dc.subjectполупроводникиru_RU
dc.subjectнанокристаллы полупроводниковru_RU
dc.subjectавторефераты диссертацийru_RU
dc.titleНанокомпозитные пленки германия и арсенида галлия: методика получения, локальная атомная структура, электрофизические и фотоэлектрические свойстваru_RU
dc.typeTextru_RU